SKY-P40R02（8”x1)
納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術路線實現(xiàn)外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
<strong>反應腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少，結構更簡化；? 腔室進氣/傳片方式獨特，減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護無需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護簡易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨立控制；? 各區(qū)碳硅比獨立控制，調整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉速可精確調控；? 工藝中晶圓高度位置精確調控。
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SKY-P40R02（8”x1)
納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術路線實現(xiàn)外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
反應腔室
石墨腔室配件數(shù)量少，結構更簡化；
腔室進氣/傳片方式獨特，減少外延掉落物。
尾氣系統(tǒng)
維護僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；
維護無需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護簡易。
氣體系統(tǒng)
5區(qū)進氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨立控制；
各區(qū)碳硅比獨立控制，調整更靈活。
晶圓控制
工藝中晶圓轉速可精確調控；
工藝中晶圓高度位置精確調控。
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納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術路線實現(xiàn)外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
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