時間型原子層沉積設(shè)備
采用時間順序交替引入前驅(qū)體,在單一反應(yīng)腔內(nèi)完成循環(huán):前驅(qū)體A脈沖→抽空→前驅(qū)體B脈沖→抽空
薄膜性能:片內(nèi)/片間/批次間不均勻性<±5%,折射率不均勻性<±3%(不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)) 產(chǎn)品特色:A源B源氣路獨(dú)立,工藝距離可調(diào),電動開蓋,15英寸工業(yè)級觸摸屏, 支持客戶定制
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采用時間順序交替引入前驅(qū)體,在單一反應(yīng)腔內(nèi)完成循環(huán):前驅(qū)體A脈沖→抽空→前驅(qū)體B脈沖→抽空
薄膜性能:片內(nèi)/片間/批次間不均勻性<±5%,折射率不均勻性<±3%(不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值))
產(chǎn)品特色:A源B源氣路獨(dú)立,工藝距離可調(diào),電動開蓋,15英寸工業(yè)級觸摸屏, 支持客戶定制
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碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設(shè)備,這一過程是制造電力電子器件,如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計,通過模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控,為規(guī)?;慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天車,可實(shí)現(xiàn)全自動化配套; 配置NH3、N2、TMAL模塊,可自由組合,滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 <strong>自主安全</strong> 通過SEMI認(rèn)證,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范; 具備自主知識產(chǎn)權(quán),具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢。
查看詳細(xì)信息納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長,獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng),顯著提升了外延片的均勻性,同時降低外延缺陷率。
<strong>反應(yīng)腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少,結(jié)構(gòu)更簡化;? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特,減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護(hù)僅打磨平板石墨件,方便配件的清理操作;? 維護(hù)無需分離傳輸腔,只打開腔室后端法蘭,維護(hù)簡易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進(jìn)氣,乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制;? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制,調(diào)整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控;? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
查看詳細(xì)信息納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備,采用水平熱壁技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)單片式生長,兼容6英寸、4英寸外延片,設(shè)備性能可靠,已穩(wěn)定量產(chǎn)。
<strong>精確:氣路獨(dú)立可控</strong> ● 精湛:工藝指標(biāo)優(yōu)異 ● 低耗:耗材成本更低? ● 省時:維護(hù)頻次更低? ● 進(jìn)階:NP型靈活切換
查看詳細(xì)信息通過物理分隔反應(yīng)區(qū)實(shí)現(xiàn)空間交替:基板在移動中依次經(jīng)過前驅(qū)體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅(qū)體B區(qū),單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能:片內(nèi)/片間/批次間不均勻性<±5%,折射率不均勻性<±3%(不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)) 產(chǎn)品特色:A源B源氣路獨(dú)立,工藝距離可調(diào),源瓶壓力可控,自動傳片及取片,可擴(kuò)展腔體及氣路數(shù)量,支持客戶定制
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